Всплеск искусственного интеллекта вызывает глобальную тревогу по запасам памяти: запасы DRAM/NAND Samsung и SK Hynix упали ниже 10 дней

2026/09/09
Всплеск искусственного интеллекта вызывает глобальную тревогу по запасам памяти: запасы DRAM/NAND Samsung и SK Hynix упали ниже 10 дней
Новости подробности

Рисунок 1: Производство памяти с высокой пропускной способностью (HBM) быстро поглощает мощности пластин, изначально предназначенные для стандартной серверной DRAM.

По мере того как технологические гиперскейлеры ускоряют развертывание инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения, глобальная цепочка поставок полупроводников сталкивается с беспрецедентным узким местом. Согласно отчету, опубликованному KB Securities, совокупные уровни запасов чипов памяти — включая DRAM и NAND flash — у Samsung Electronics и SK Hynix упали до менее 10 дней поставок.

Это историческое сокращение запасов памяти значительно ниже традиционного порога здоровья полупроводниковой промышленности в 3-5 недель, что сигнализирует о том, что два крупнейших в мире производителя памяти в настоящее время работают в условиях почти нулевых запасов с циклами доставки в реальном времени от завода до отгрузки.

Спрос на HBM4 и корпоративные SSD снижает объем стандартной памяти

Резкое истощение запасов связано с растущим, неуклонным спросом на память, обусловленным рабочими нагрузками обучения и вывода моделей ИИ:

  1. Распределение производства HBM: Как Samsung, так и SK Hynix перераспределяют значительные мощности пластин в сторону передовой памяти с высокой пропускной способностью (HBM3e и HBM4) для выполнения контрактов на ускорители ИИ, резко сокращая выпуск стандартной серверной DDR5 и потребительской DRAM.

  2. Всплеск корпоративных SSD: Быстрое расширение корпоративных центров обработки данных ИИ вызвало массовые всплески закупок твердотельных накопителей корпоративного класса (eSSD), ускоряя истощение запасов корпоративной NAND flash.

Рисунок 2: Заводы по производству памяти работают на полную мощность на фоне исторического структурного дефицита.

Прогноз рынка: надвигающийся структурный дефицит

"Серверы искусственного интеллекта не только потребляют огромные объемы HBM, но и истощают серверную DDR5 DRAM и высокоемкие корпоративные SSD", — отметил Ким Дон Вон, руководитель отдела исследований KB Securities. "Этот всплеск спроса на многоуровневое оборудование угрожает вызвать исторический структурный дефицит на всем рынке памяти".

KB Securities прогнозирует, что мировой спрос на DRAM и NAND может превысить общее рыночное предложение на более чем 10 процентных пунктов. Поскольку доступные спотовые запасы почти исчерпаны, ожидается, что цены по контрактам на корпоративную память резко вырастут в ближайшие кварталы.

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

Каков текущий уровень запасов у Samsung Electronics и SK Hynix?

По данным KB Securities, общий объем запасов памяти (DRAM и NAND) как у Samsung, так и у SK Hynix упал ниже 10 дней поставок, по сравнению с здоровым отраслевым ориентиром в 3-5 недель.

Почему запасы чипов памяти так быстро падают в 2026 году?

Снижение вызвано сверхбыстрым ростом инвестиций в инфраструктуру ИИ. Фабрики перераспределяют мощности кремниевых пластин от стандартной DDR5 DRAM, чтобы отдать приоритет памяти с высокой пропускной способностью (HBM3e/HBM4) и корпоративным SSD, необходимым для центров обработки данных ИИ.

Как этот дефицит памяти повлияет на технологические предприятия и покупателей?

Команды по закупкам корпоративных ИТ могут ожидать более жесткого предложения, более длительных сроков поставки и повышения контрактных цен на серверные модули DDR5, высокоемкие eSSD и потребительское оборудование памяти.