Pojawienie się sztucznej inteligencji wywołuje globalny alarm: zapasy DRAM/NAND Samsung i SK Hynix spadły poniżej 10 dni

Rysunek 1: Produkcja pamięci o dużej przepustowości (HBM) szybko zużywa pojemność płytki pierwotnie przeznaczoną dla standardowej pamięci DRAM serwera.

W miarę jak hiperskalowarki technologiczne przyspieszają wdrażanie infrastruktury sztucznej inteligencji nowej generacji, globalny łańcuch dostaw półprzewodników stoi w obliczu bezprecedensowego wąskiego gardła. Według raportu opublikowanego przez KB Securities łączny poziom zapasów układów pamięci – w tym zarówno DRAM, jak i NAND flash – w Samsung Electronics i SK Hynix spadł gwałtownie do poziomumniej niż 10 dni dostaw.

To historyczne zmniejszenie rezerw pamięci powoduje spadek rezerw pamięci znacznie poniżej tradycyjnego progu kondycji w branży półprzewodników wynoszącego od 3 do 5 tygodni, co sygnalizuje, że dwaj najwięksi na świecie producenci pamięci działają obecnie przy stanach magazynowych bliskich zera i realizują cykle dostaw w czasie rzeczywistym od fabryki do wysyłki.

Zapotrzebowanie na dyski HBM4 i dyski SSD dla przedsiębiorstw kanibalizuje standardową pojemność pamięci

Poważne uszczuplenie zapasów wynika z rosnącego, nieustępliwego zapotrzebowania na pamięć wynikającego z obciążeń związanych ze szkoleniem modeli AI i wnioskowaniem:

1. Alokacja produkcji HBM: Zarówno Samsung, jak i SK Hynix realokują znaczną pojemność płytek w kierunku zaawansowanej pamięci o dużej przepustowości (HBM3e i HBM4), aby sprostać umowom dotyczącym akceleratorów AI, drastycznie ograniczając wydajność standardowej pamięci DDR5 serwera i konsumenckiej pamięci DRAM.

2. Wzrost wydajności dysków SSD w przedsiębiorstwach: Szybki rozwój centrów danych opartych na sztucznej inteligencji dla przedsiębiorstw spowodował ogromny wzrost zamówień na dyski półprzewodnikowe (eSSD) klasy korporacyjnej, przyspieszając wyczerpywanie się zasobów pamięci flash NAND dla przedsiębiorstw.

Rysunek 2: Zakłady produkujące pamięci działające z pełną wydajnością w obliczu historycznych niedoborów strukturalnych.

Perspektywy rynkowe: zbliżający się deficyt strukturalny

„Serwery sztucznej inteligencji nie tylko zużywają ogromne ilości pamięci HBM, ale także wyczerpują pamięć DDR5 DRAM serwerów i dyski SSD o dużej pojemności dla przedsiębiorstw” – zauważył Kim Dong-won, dyrektor ds. badań w KB Securities. „Ten wzrost zapotrzebowania na wielopoziomowy sprzęt grozi wywołaniem historycznego deficytu strukturalnego na całym rynku pamięci”.

KB Securities przewiduje, że globalny popyt na DRAM i NAND może przewyższyć całkowitą podaż rynkową o okponad 10 punktów procentowych. W związku z niemal wyczerpaniem się dostępnych zapasów, oczekuje się, że ceny kontraktów na pamięć korporacyjną gwałtownie wzrosną w nadchodzących kwartałach.

Często zadawane pytania (FAQ)

Jaki jest aktualny poziom zapasów firm Samsung Electronics i SK Hynix?

Jak donosi KB Securities, całkowite zasoby pamięci (DRAM i NAND) zarówno w przypadku Samsunga, jak i SK Hynix spadły poniżej poziomu10 dni dostaww porównaniu ze zdrowym standardem branżowym wynoszącym od 3 do 5 tygodni.

Dlaczego zapasy układów pamięci spadają tak szybko w 2026 r.?

Spadek jest spowodowany nadmiernym wzrostem inwestycji w infrastrukturę AI. Fabryki realokują pojemność płytek krzemowych ze standardowej pamięci DRAM DDR5, aby nadać priorytet pamięci o dużej przepustowości (HBM3e/HBM4) i dyskom SSD dla przedsiębiorstw potrzebnych w centrach danych AI.

Jak ten niedobór pamięci wpłynie na przedsiębiorstwa technologiczne i nabywców?

Zespoły ds. zakupów IT dla przedsiębiorstw mogą spodziewać się mniejszych dostaw, dłuższych terminów realizacji i podwyżek cen kontraktowych modułów DDR5 dla serwerów, dysków eSSD o dużej pojemności i sprzętu pamięci konsumenckiej.